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작성일 : 19-04-24 02:18
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진격의 삼성전자, 시스템반도체에 133조 투자·1만5천명 채용
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글쓴이 :
시애틀N
 조회 : 1,901
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2030년까지 R&D 73조원, 생산시설 60조원 총 133조원 투자
화성 EUV라인∙신규 라인 등 파운드리 투자 지속 추진
삼성전자가 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 133조원을 투자하고, 전문인력 1만 5000명을 채용한다. 이재용 삼성전자 부회장이 연초 비(非)메모리분야에서도 세계 1위를 달성하겠다고 목표를 제시한 데 따른 후속조치다. 최근 문재인 대통령의 비메모리 반도체 강조 행보에 따라 정부가 준비한 비메모리반도체 육성대책에 부응하는 의미도 담겼다.
삼성전자는 2030년까지 메모리 반도체뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 '반도체 비전 2030'을 수립했다고 24일 밝혔다. 이번 투자 및 고용계획 발표는 '비전2030'의 하나다.
삼성전자는 또한 시스템 반도체 인프라와 기술력을 공유해 팹리스(Fabless, 반도체 설계 전문업체), 디자인하우스(Design House, 설계 서비스 기업) 등 국내 시스템 반도체 생태계의 경쟁력을 강화할 방침이다.삼성전자 측은 "과감하고 선제적인 투자와 국내 중소업체와의 상생협력을 통해 한국 시스템 반도체산업 발전에 앞장설 계획"이라고 밝혔다.
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| 홍영표 더불어민주당 원내대표가 30일 경기도 화성시 삼성전자 화성캠퍼스 메모리연구동에서 이재용 삼성전자 부회장, 더불어민주당 의원들과 반도체에 대한 설명을 듣고 있다. 2019.1.30/뉴스1 © News1 조태형 기자 | ◇시스템 반도체(파운드리 및 시스템LSI 사업) 분야에 133조원 투자삼성전자는 시스템 반도체 사업경쟁력 강화를 위해 2030년까지 국내 연구개발(R&D) 분야에 73조원, 최첨단 생산 인프라에 60조원을 투자한다.R&D 투자금액이 73조원 규모에 달해 국내 시스템 반도체 연구개발 인력 양성에 기여할 것으로 기대되며, 또한 생산시설 확충에도 60조원이 투자돼 국내 설비·소재 업체를 포함한 시스템 반도체 생태계 발전에도 긍정적인 영향이 예상된다.삼성전자는 향후 화성캠퍼스 신규 EUV(극자외선)라인을 활용해 생산량을 증대하고, 국내 신규 라인 투자도 지속 추진할 계획이다.삼성전자는 또 기술경쟁력 강화를 위해서 시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만 5000명을 채용할 계획이다. 삼성전자의 이 같은 계획이 실행되면 2030년까지 연평균 11조원의 R&D 및 시설투자가 집행되고, 생산량이 증가함에 따라 42만명의 간접 고용유발 효과가 발생할 것으로 예상된다.◇국내 중소 반도체업체 협력 통해 국가 시스템 반도체 산업생태계 강화삼성전자는 국내 팹리스 업체를 지원하는 등 상생협력을 통해 한국 시스템 반도체 산업생태계도 강화한다. 국내 중소 팹리스 고객들이 제품 경쟁력을 강화하고 개발기간도 단축할 수 있도록 인터페이스IP, 아날로그 IP, 시큐리티(Security) IP 등 삼성전자가 개발한IP(Intellectual Property, 설계자산)를 호혜적으로 지원한다. 보다 효과적으로 제품을 개발할 수 있도록 삼성전자가 개발한 설계/불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원할 계획이다.소품종 대량생산 체제인 메모리 반도체와 달리 다품종 소량생산이 특징인 시스템 반도체 분야의 국내 중소 팹리스업체는 지금까지 수준 높은 파운드리 서비스를 활용하는데 어려움이 있었다.
삼성전자는 이러한 어려움을 해소하기 위해 반도체 위탁생산 물량 기준도 완화해, 국내 중소 팹리스업체의 소량제품 생산을 적극적으로 지원할 계획이다. 또한 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer)프로그램을 공정당 연 2~3회로 확대 운영한다. 삼성전자는 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력도 확대해 나갈 계획이다.
기사제공=뉴스1(시애틀N 제휴사)
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