SK하이닉스 클러스터 공정률 7%…2025년 팹 건설 시작

삼성전자 시스템 클러스터, 2년 후 부지 조성 착수

K-반도체 벨트가 될 '용인 반도체 클러스터' 조성이 속도를 내고 있다. 2025년 팹(Fab)이 건설되고, 2027년 'Made in 용인' 반도체가 생산될 예정이다.

2일 재계에 따르면 용인 반도체 클러스터는 토지보상을 완료하고 문화재 정밀조사에 나섰다. 공정률은 7%다.

반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일원에 약 415만㎡ 규모의 부지를 조성하고, SK하이닉스(000660)가 120조원을 투자해 총 4개의 반도체 팹(생산시설)을 건설하는 사업이다. 협력사 50여 곳도 함께 입주한다.

2019년 2월 반도체 클러스터 발표 이후 인근 지자체 반대로 환경영향평가에만 2년 가까이 걸렸지만, 조성 작업은 당초 계획보다 빠른 속도로 진행 중이다. 현재 토지 보상이 완료돼 문화재 정밀조사가 이뤄지고 있다. SK하이닉스의 첫 번째 팹이 건설될 부지는 연내 문화재 조사까지 마칠 것으로 알려졌다.

기반시설도 차질 없이 진행 중이다. 공업용수는 인근 여주시 남한강 여주보에서 관로를 설치 중이고, 전기공급시설은 신안성변전소에서 송전선로를 건설한다. 터널 보링 머신(TBM)을 3대나 투입해 공사 중이다.

용인 반도체 클러스터 조성사업을 맡고 있는 ㈜용인일반산업단지 관계자는 "계획대비 공사 속도가 빠르다"며 "팹 착공 계획에 문제가 없을 것"이라고 말했다.

부지 조성이 마무리되면 SK하이닉스는 2025년 3월 첫 번째 팹 착공에 돌입한다. 공사 기간 등을 고려하면 2027년 하반기 생산이 이뤄질 예정이다.

용인 클러스터가 완공되면 SK하이닉스는 △이천을 본사기능과 연구개발(R&D), 마더팹(Mother FAB) 및 D램 생산기지로 △청주는 낸드플래시 중심 생산기지로 △용인은 D램과 차세대 메모리 생산기지, 반도체 상생 생태계 거점으로 구축해 중장기 성장을 도모한다.

앞서 최태원 SK그룹 회장은 지난달 15일 용인 클러스터 현장을 찾아 "SK하이닉스 역사상 가장 계획적이고도 전략적으로 추진되는 프로젝트"라며 "클러스터 성공을 위한 경쟁력을 확보하는 데 최선을 다해 달라"고 당부하기도 했다.

인근 삼성전자(005930) 팹이 들어설 '첨단 시스템 반도체 클러스터' 구축도 차질 없이 진행될 전망이다. 국가산단 부지로 선정되면서 진행 속도는 용인 클러스터보다 빠르다.

2026년 말 부지 조성 공사에 들어가며 정부는 전력·용수·도로·폐수처리시설 등 산업단지 운영에 필요한 기반시설 논의를 전담하는 '인프라 지원반'을 운영한다.

해당 부지가 완성되면 삼성전자는 2030년 건설을 시작해 2042년까지 첨단 반도체 팹 5개를 구축하고 소부장(소재·부품·장비) 업체, 팹리스(반도체 설계업체) 등 최대 150개를 유치할 계획이다.

업계 관계자는 "SK하이닉스와 삼성전자의 용인 클러스터가 계획대로 진행될 것으로 보인다"며 "앞으로 한국 반도체의 새로운 보금자리가 될 것"이라고 말했다.